在實驗中，SNVM 主要承擔三大核心角色： 1.La摻雜對反鐵磁疇結構的調(diào)控效應 圖3e-h的NV測試結果清晰地展示了La摻雜濃度對BLFO薄膜磁疇結構的顯著影響。隨著La摻雜濃度從0%增加到10%，反鐵磁疇尺寸明顯增大，疇壁數(shù)量減少，這表明La摻雜有效增強了磁疇的穩(wěn)定性。 2.磁疇尺寸與鐵電性能的關聯(lián)性 NV測試結果顯示，在優(yōu)化摻雜濃度（x=0.10）時，BLFO薄膜呈現(xiàn)出較大尺寸的反鐵磁疇，這與PFM測試中觀察到的較低鐵電開關電壓（1.81V）高度吻合。這種相關性證實了反鐵磁疇尺寸的擴大有助于降低鐵電極化翻轉的能量勢壘，從而改善鐵電性能。 3.過量摻雜的負面效應 當La摻雜濃度達到15%時，NV圖像顯示磁疇結構發(fā)生明顯退化，疇尺寸顯著減小，疇壁變得不規(guī)則。這一現(xiàn)象與實驗中觀察到的性能下降相一致，包括鐵電極化反轉幅度降低約40%，以及漏電流異常增加，表明過量摻雜破壞了材料的本征多鐵性有序。 4.磁電耦合機制的直接證據(jù) NV測試為BLFO薄膜中的磁電耦合提供了直觀證據(jù)。反鐵磁疇結構的改變與鐵電性能的變化呈現(xiàn)同步性，說明通過La摻雜調(diào)控磁疇結構是實現(xiàn)性能優(yōu)化的有效途徑。這一發(fā)現(xiàn)為設計高性能多鐵性器件提供了重要的理論基礎。 SNVM具有高空間分辨率與高靈敏度的優(yōu)勢，這項工作進一步表明了 SNVM 是研究多鐵材料新利器，彌補了磁光克爾顯微鏡和磁力顯微鏡的不足。隨著自旋電子學的進一步發(fā)展，未來基于 BLFO 的電壓控制無場切換自旋電子器件有望突破功耗瓶頸，為 20 nm 以下節(jié)點的存儲芯片提供新方案，而 SNVM 也將成為更多量子材料與器件研究的 “核心裝備"，推動量子傳感與電子信息領域的深度融合。 NV 誠邀體驗 納米級磁成像系統(tǒng) 國儀量子誠邀您體驗掃描NV探針顯微鏡（SNVM）——先進的納米級磁場成像系統(tǒng)，溫度1.8~300 K，矢量磁場9/1/1 T，磁空間分辨率達10 nm，磁靈敏度2 μT/Hz1/2。 室溫版SNVM低溫版SNVM